<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Pemprosesan on Expert Warm IR Heating Solutions</title>
		<link>http://warm-ir-heater-expert.com/ms/tags/pemprosesan/</link>
		<description>Recent content in Pemprosesan on Expert Warm IR Heating Solutions</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Tue, 30 Jun 2026 01:21:24 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-heater-expert.com/ms/tags/pemprosesan/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Pemanas untuk pemprosesan wafer optik</title>
				<link>http://warm-ir-heater-expert.com/ms/posts/optical-wafer-processing-heater/</link>
				<pubDate>Tue, 30 Jun 2026 01:21:24 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heater-expert.com/ms/posts/optical-wafer-processing-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heater-expert.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png&#34; alt=&#34;Pemanas untuk pemprosesan wafer optik&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di fasiliti pengeluaran, proses pembakaran &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;merupakan&lt;/a&gt; faktor penentu keberjayaan proses tersebut. Jika suhu pembakaran berbeza sebanyak 2°C, dimensi kritikal wafer akan berubah sedikit demi sedikit, dalam skala nanometer. Jika proses pembakaran tidak dilakukan secara seragam, ia akan menyebabkan masalah seperti ketidakstabilan permukaan wafer dan masalah pengikatan bahan pada wafer tersebut. &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;Pemanas&lt;/a&gt; optik digunakan untuk mengatasi masalah ini, dengan memastikan kawalan suhu yang tepat, di mana wafer itu sendiri bertindak sebagai sensor.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Apa yang penting adalah penggunaan sumber cahaya inframerah gelombang pendek dan tingkap kuarsa yang sesuai dengan cara silikon dan bahan photoresist menyerap haba. Dengan cara ini, suhu wafer dapat dikawal dengan tepat, dalam lingkungan ±0.1°C di seluruh kawasan yang aktif. Stabilitas suhu juga lebih baik, iaitu dalam lingkungan ±0.5°C. Kelajuan peningkatan suhu boleh mencapai 10°C/s, tanpa menimbulkan tekanan pada lapisan bawah wafer.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
