Riscaldatore per post exposure bake (PEB)

Wed, 17 Jun 2026 11:10:55 +0800

Nel processo di litografia, è la uniformità della temperatura del PEB su tutta la superficie del wafer che determina effettivamente il controllo della distorsione ottica e l’accuratezza delle incisioni. Anche un piccolo scostamento di pochi decimi di grado può influenzare negativamente l’amplificazione chimica del fotorest, modificare i valori di bias e alterare la selettività dell’etchaggio. In questo modo, si perdono ore di lavoro in esposizioni e misurazioni inutili.

Ciò che è importante dal punto di vista tecnico
Il riscaldatore PEB viene progettato per garantire una uniformità termica di ±0,1°C sul wafer. La temperatura di essiccazione del fotorest viene mantenuta costante durante tutto il processo di essiccazione. La piattaforma supporta sia processi di essiccazione “soft” che “hard”, con tassi di aumento di temperatura predefiniti; in questo modo non è necessario gestire eventuali variazioni termiche tra i diversi lotti di produzione.
I generatori a onde corte a base di quarzo e iodio garantiscono una risposta rapida e precisa. La geometria della zona di riscaldamento è stata progettata per mantenere un equilibrio uniforme tra le diverse aree del wafer. Per ambienti di tipo Class 1–100, vengono utilizzati materiali con bassa emissione di particelle, in modo da evitare la formazione di particelle durante il normale funzionamento dello strumento. In questo modo, il numero di particelle rimane entro i limiti consentiti, senza la necessità di ulteriori filtri.
Lo strumento è progettato per funzionare 24/7 nelle fabbriche a più turni, senza interruzioni impreviste. Il profilo energetico viene gestito in modo da mantenere stabili i costi per wafer.

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Riscaldatore per post exposure bake (PEB)