Riscaldatore per post exposure bake (PEB)

Wed, 17 Jun 2026 11:10:55 +0800

Nel processo di litografia, è la uniformità della temperatura del PEB su tutta la superficie del wafer che determina effettivamente il controllo della distorsione ottica e l’accuratezza delle incisioni. Anche un piccolo scostamento di pochi decimi di grado può influenzare negativamente l’amplificazione chimica del fotorest, modificare i valori di bias e alterare la selettività dell’etchaggio. In questo modo, si perdono ore di lavoro in esposizioni e misurazioni inutili.

Ciò che è importante dal punto di vista tecnico
Il riscaldatore PEB viene progettato per garantire una uniformità termica di ±0,1°C sul wafer. La temperatura di essiccazione del fotorest viene mantenuta costante durante tutto il processo di essiccazione. La piattaforma supporta sia processi di essiccazione “soft” che “hard”, con tassi di aumento di temperatura predefiniti; in questo modo non è necessario gestire eventuali variazioni termiche tra i diversi lotti di produzione.
I generatori a onde corte a base di quarzo e iodio garantiscono una risposta rapida e precisa. La geometria della zona di riscaldamento è stata progettata per mantenere un equilibrio uniforme tra le diverse aree del wafer. Per ambienti di tipo Class 1–100, vengono utilizzati materiali con bassa emissione di particelle, in modo da evitare la formazione di particelle durante il normale funzionamento dello strumento. In questo modo, il numero di particelle rimane entro i limiti consentiti, senza la necessità di ulteriori filtri.
Lo strumento è progettato per funzionare 24/7 nelle fabbriche a più turni, senza interruzioni impreviste. Il profilo energetico viene gestito in modo da mantenere stabili i costi per wafer.

Lampada per la cottura uniforme del photoresist

Wed, 10 Jun 2026 01:35:24 +0800

Sul piano di produzione, una deriva di 0,2°C durante il soft bake può compromettere molti pezzi. Si osserva un assottigliamento del photoresist ai bordi, variazioni nelle dimensioni critiche e capacità di litografia inutilizzata. Questa lampada per bake è stata progettata per impedire che quella deriva si manifesti.

Ciò che conta, a livello tecnico, è che il profilo di bake venga ingegnerizzato intorno al wafer, non alla camera. La lampada mantiene un’uniformità termica a livello del wafer entro ±0,1°C su tutto il diametro, stabilizza rapidamente e si ripete da lotto a lotto. Gli elementi riscaldanti in fibra di carbonio e l’ottica NIR assicurano una risposta stabile e rapida senza punti caldi. Funziona in camere bianche Class 1–100 e non genera particelle, come validato dal monitoraggio particellare in-situ. Progettata per funzionamento 7×24, ha registrato zero downtime imprevisti in migliaia di cicli e la potenza rimane stabile oltre 5.000 ore.

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Riscaldatore per post exposure bake (PEB)

Lampada per la cottura uniforme del photoresist